- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (24)
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- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,074 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
EPC | TRANS GAN 200V DIE... |
1 | 51,931 | 加入询价 | ||
EPC | GANFET N-CH 200V 5A... |
1 | 27,140 | 加入询价 | ||
EPC | GANFET N-CH 200V 8.5... |
1 | 112,088 | 加入询价 | ||
EPC | GAN TRANS 200V 8MOH... |
1 | 27,017 | 加入询价 | ||
EPC | GANFET N-CH 200V 22A... |
1 | 13,204 | 加入询价 | ||
EPC | GANFET N-CH 200V 48A... |
1 | 21,201 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 200V 400... |
1 | 229,219 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 24,158 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 7.2... |
1 | 14,140 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A... |
1 | 17,257 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | - |
1 | 50,893 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A... |
1 | 83,561 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A... |
1 | 39,054 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A... |
1 | 19,844 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 14,633 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 30A... |
1 | 3,002 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 62A... |
1 | 6,575 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 39A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 200V 32.... |
1 | 4,832 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 30A... |
1 | 14,316 | 加入询价 |