- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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51 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 3,930 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A... |
1 | 820 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 286 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 473 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 52 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
