- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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272 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 3,478 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A... |
1 | 9,262 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 20,037 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 4,354 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 4,636 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100... |
1 | 804 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,237 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
1 | 2,200 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 56A... |
1 | 11,351 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 4,556 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 4,652 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 3,490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 690 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A... |
1 | 1,800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 1,904 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 508 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 189 | 加入询价 |
