- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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119 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MA... |
1 | 152 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 170A,RD<2.5M@10V,... |
1 | 77 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 190A,RD<3.5M@10V... |
1 | 766 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 140A,RD<2.7M@10V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8M@10V,R... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<13M@4.5V... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 92 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<13M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<9M@10V,R... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 110A,RD<4M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.19@10V,V... |
1 | 87 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 220A,RD<2.5M@10V,... |
1 | 50 | 加入询价 |
