FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQJA12EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S...
1 2,990 加入询价
DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V-...
1 2,000 加入询价
IPD90P04P405AUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A...
1 2,000 加入询价
APT47N65SCS3G Microsemi
MOSFET N-CH 650V 47A...
1 2,000 加入询价
NDF06N60ZG-001 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.1...
1 2,000 加入询价
BUK763R4-30,118 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 75A...
1 2,000 加入询价
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