- 品牌：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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421 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6 60V NCH LL IN U8F... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | T6 60V SL LFPAK4 5X6 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PSMN5R6-100YSF/SOT1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6-40V N 1.7 MOHMS SL |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6-40V N 1.3 MOHMS SL |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V PW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V DIREC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6-40V N 0.92 MOHMS S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCHFET 60V N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | PLANAR >= 100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
