- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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14 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 14A... |
1 | 6,718 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37A... |
1 | 427 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 464 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 35 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 9.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 60V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
