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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
500 V
(1)
600 V
(1)
650 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
2A(Ta)
(1)
3A(Ta)
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
3.2 欧姆 @ 1.5A,10V
(1)
3.75 欧姆 @ 1.5A,10V
(1)
4.4 欧姆 @ 1A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
16.1 nC @ 10 V
(1)
5.7 nC @ 10 V
(1)
6.5 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
257 pF @ 25 V
(1)
260 pF @ 25 V
(1)
423 pF @ 25 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
安装类型 : 通孔
功率耗散(最大值) : 44W(Tc)
供应商器件封装 : TO-220AB
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJP4NA65H_T0_00001
PANJIT
650V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJP3NA50_T0_00001
PANJIT
500V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJP2NA60_T0_00001
PANJIT
600V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJP4NA65H_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
PJP3NA50_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
PJP2NA60_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
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