供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FDP060AN08A0 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 16A...
1 2,000 加入询价
FDP3651U ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A...
1 800 加入询价
BUK753R4-30B,127 NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 30V 75A...
1 2,000 加入询价
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