封装/外壳:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQW61N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 650V 62A...
1 380 加入询价
SIHS90N65E-GE3 Vishay / Siliconix
E SERIES POWER MO...
1 253 加入询价
STY105NM50N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 110...
1 2,000 加入询价
STY100NM60N STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 98A...
1 2,000 加入询价
SIHS90N65E-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 650V 87A...
1 2,000 加入询价
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