- 品牌：
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- ON Semiconductor (8)
- STMicroelectronics (20)
- Littelfuse (8)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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65 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 155,646 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 6,748 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 100V 44A... |
1 | 3,316 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A... |
1 | 141 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 8,527 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 3.9... |
1 | 1,188 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 18A... |
1 | 1,453 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A... |
1 | 413 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 42 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V TO... |
1 | 707 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 194 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V I2... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 15 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
