供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TK10A80E,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 800V 10A...
1 117 加入询价
R6010ANX ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A...
1 2,000 加入询价
PJF10NA60_T0_00001 PANJIT
600V N-CHANNEL MOS...
1 2,000 加入询价
PJF10NA65_T0_00001 PANJIT
650V N-CHANNEL MOS...
1 2,000 加入询价
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