- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- PANJIT (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PANJIT | 600V N-CHANNEL SUP... |
1 | 1,995 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 612 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 91 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 490 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 11A TO-220FM, LOW... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-220FM, LOW... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 219 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 23A... |
1 | 16 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 35.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 600V N-CHANNEL SUP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
