- 品牌：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 4,063 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 472 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 571 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A... |
1 | 278 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
1 | 592 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 40V 20A... |
1 | 972 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 570 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
