- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 42,215 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<9M@10V,... |
1 | 199 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 75V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 75V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
