- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (3)
- ON Semiconductor (7)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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24 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 114 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 30A TO-220FM, LOW... |
1 | 996 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 30A TO-220FM, HIG... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 30A TO-220FM, LOW... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 30A TO-220FM, HIG... |
1 | 894 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 8 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<13M@4.5V... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
