供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
630A Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<280M@10V...
1 2,460 加入询价
GC11N65F Goford Semiconductor
N650V,RD(MAX)<360M@10V...
1 145 加入询价
MSJP11N65A-BP Micro Commercial Components (MCC)
N-CHANNEL MOSFET...
1 2,000 加入询价
MSJPF11N65A-BP Micro Commercial Components (MCC)
N-CHANNEL MOSFET...
1 2,000 加入询价
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