- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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42 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 1,553 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 419 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 61A... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 142 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 1,352 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 15 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 101... |
1 | 66 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 52 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 45A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 307 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 1200V COOLSIC MOSF... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
