- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 5,136 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.... |
1 | 1,002 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 47A... |
1 | 3,290 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 60A... |
1 | 335 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 43.... |
1 | 650 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 348 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 121 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 32A... |
1 | 457 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 34.... |
1 | 387 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 53A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 34.... |
1 | 53 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 68.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 960 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.... |
1 | 4 | 加入询价 |
