- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,315 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<280M@10V... |
1 | 2,460 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-23A,RD(MAX)<70M... |
1 | 650 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 40V,60... |
1 | 229 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 40V,45... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 209 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 220 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 70A,RD<8M@10V,V... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-60A,RD(MAX)<80... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 208 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<25M@10V... |
1 | 212 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 145 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 98 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<9M@10V,... |
1 | 199 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 150A,RD<4.8M@10V... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 34 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MA... |
1 | 152 | 加入询价 |
