FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIJ438DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 40V 80A...
1 18,800 加入询价
SIR182DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
1 165 加入询价
SIR165DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A...
1 2,000 加入询价
SIJ494DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 150V 36....
1 2,000 加入询价
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