- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | P-CH MOSFET, -40 V, ... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AUTO AEC-Q SS MOS... |
1 | 5,425 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | P-CH MOSFET -30V, -2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | N-CH MOSFET 20V, +/-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | N-CH MOSFET 30V, +/-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V 3.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 60V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
