- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (28)
- Intersil（瑞萨电子公司） (11)
- Nexperia (8)
- ON Semiconductor (48)
- Vishay / Siliconix (114)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
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260 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Nexperia | MOSFET P-CH 250V 225... |
1 | 13,015 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 9.2A... |
1 | 11,805 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 16,758 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.7A... |
1 | 24,845 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 18.5... |
1 | 4,955 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET P-CH 200V 225... |
1 | 7,537 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.7... |
1 | 12,258 | 加入询价 | |
|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3... |
1 | 5,995 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A... |
1 | 3,172 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 10A ... |
1 | 53,208 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 4,308 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2... |
1 | 5,990 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5... |
1 | 7,164 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 14A... |
1 | 41,969 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 14A... |
1 | 17,697 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 14A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | P-CH MOSFET, -40 V, ... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AUTO AEC-Q SS MOS... |
1 | 5,425 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -20V -4.5A POWER... |
1 | 5,865 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V 17A... |
1 | 5,000 | 加入询价 |
