- 品牌：
-
- Intersil（瑞萨电子公司） (4)
- Nexperia (5)
- ON Semiconductor (20)
- STMicroelectronics (53)
- Littelfuse (10)
- PANJIT (1)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
129 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 11,020 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 8,961 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 80... |
1 | 2,582 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,859 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 80... |
1 | 962 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 55A... |
1 | 5,892 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 65A... |
1 | 4,527 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 5.8... |
1 | 1,246 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A... |
1 | 1,457 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 45A... |
1 | 1,660 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,098 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 1,989 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 1,805 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 640V 5A... |
1 | 2,496 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 1,093 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-30A,RD(MAX)<16M... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,492 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 283 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 695 | 加入询价 |
