- 品牌：
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- STMicroelectronics (21)
- YANGJIE (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 9,687 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
1 | 9,203 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
1 | 3,332 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 4,931 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A... |
1 | 2,465 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<6M@10V,R... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A... |
1 | 196 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3... |
1 | 18 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 1.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
