- 品牌：
-
- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | 150V, N-CH MOSFET, L... |
1 | 5,710 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 211A... |
1 | 2,660 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 87A... |
1 | 2,317 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 1,996 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 211A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 1KV 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
