- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (2)
- EPC (3)
- YANGJIE (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A... |
1 | 14,826 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 80V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 230... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15U... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
