- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
2 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 150A... |
1 | 8,715 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS9 SOP-ADV(N) P... |
1 | 20,000 | 加入询价 |
