- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 66,882 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19A... |
1 | 14,869 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 30 V (D-S... |
1 | 5,988 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | P-CHANNEL ENHANC... |
1 | 65,200 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET P-CH 100V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
