- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 150M... |
1 | 200,607 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 250M... |
1 | 23,700 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 150M... |
1 | 865,962 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 180M... |
1 | 32,443 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 200M... |
1 | 4,275 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
