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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
工作温度:
-55°C ~ 150°C
(5)
-55°C ~ 150°C(TJ)
(54)
-55°C ~ 175°C(TJ)
(3)
封装/外壳:
18-CLCC
(37)
3-SMD,无引线
(2)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
(2)
TO-267AB
(20)
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
(1)
供应商器件封装:
18-ULCC(9.14x7.49)
(37)
D3PAK
(1)
D3Pak
(2)
TO-267AB
(20)
U1(SMD-1)
(2)
技术:
MOSFET(金属氧化物)
(59)
SiCFET(碳化硅)
(3)
FET 类型:
N 通道
(54)
P 通道
(8)
漏源电压(Vdss):
100 V
(25)
1200 V
(2)
200 V
(18)
400 V
(8)
500 V
(8)
700 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
(1)
12A(Tc)
(4)
14A(Tc)
(4)
18A(Tc)
(4)
2.25A(Tc)
(4)
2.5A(Tc)
(4)
2.8A(Tc)
(4)
26A(Tc)
(1)
27.4A(Tc)
(4)
3.5A(Tc)
(3)
34A(Tc)
(5)
3A(Tc)
(4)
4.5A(Tc)
(4)
5.5A(Tc)
(5)
6.5A(Tc)
(4)
65A(Tc)
(1)
80A(Tc)
(1)
8A(Tc)
(5)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
(1)
10V
(54)
12V
(5)
20V
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
(1)
1 欧姆 @ 2A,10V
(1)
1.1 欧姆 @ 3A,10V
(3)
1.5 欧姆 @ 1.5A,0V
(1)
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
(1)
1.6 欧姆 @ 2.25A,10V
(3)
1.6 欧姆 @ 2.5A,10V
(3)
100 毫欧 @ 17A,10V
(1)
105 毫欧 @ 27.4A,10V
(3)
110 毫欧 @ 26A,12V
(1)
180 毫欧 @ 5A,10V
(1)
185 毫欧 @ 8A,12V
(1)
195 毫欧 @ 8A,10V
(3)
200 毫欧 @ 11A,10V
(1)
220 毫欧 @ 18A,10V
(3)
300 毫欧 @ 3.5A,10V
(1)
300 毫欧 @ 4.1A,10V
(1)
315 毫欧 @ 9A,10V
(1)
320 毫欧 @ 6.5A,10V
(2)
350 毫欧 @ 6.5A,12V
(1)
350 毫欧 @ 6A,10V
(3)
364 毫欧 @ 5.5A,12V
(1)
400 毫欧 @ 3.5A,10V
(1)
415 毫欧 @ 14A,10V
(3)
415 毫欧 @ 8A,10V
(1)
420 毫欧 @ 5.5A,10V
(3)
515 毫欧 @ 12A,10V
(3)
55 毫欧 @ 40A,20V
(1)
600 毫欧 @ 2.25A,10V
(1)
610 毫欧 @ 3.5A,10V
(2)
70 毫欧 @ 32.5A,20V
(1)
70 毫欧 @ 34A,12V
(1)
800 毫欧 @ 2.25A,10V
(1)
81 毫欧 @ 34A,10V
(4)
850 毫欧 @ 3.5A,10V
(3)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
(1)
2.5V @ 1mA
(2)
4V @ 1mA
(5)
4V @ 250mA
(1)
4V @ 250µA
(53)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
(1)
110 nC @ 10 V
(4)
115 nC @ 10 V
(4)
120 nC @ 10 V
(4)
125 nC @ 10 V
(4)
125 nC @ 20 V
(1)
14.3 nC @ 10 V
(4)
160 nC @ 12 V
(1)
170 nC @ 12 V
(1)
18 nC @ 10 V
(4)
235 nC @ 20 V
(1)
28.51 nC @ 10 V
(3)
33 nC @ 10 V
(3)
34.75 nC @ 10 V
(3)
34.8 nC @ 10 V
(3)
4.46 nC @ 10 V
(1)
42.07 nC @ 10 V
(3)
45 nC @ 12 V
(1)
5.29 nC @ 10 V
(1)
5.75 nC @ 10 V
(1)
50 nC @ 12 V
(2)
6.34 nC @ 10 V
(1)
60 nC @ 10 V
(4)
8.1 nC @ 10 V
(3)
8.6 nC @ 10 V
(4)
Vgs(最大值):
+25V,-10V
(2)
-
(1)
±20V
(59)
功率耗散(最大值):
-
(1)
150W(Tc)
(2)
220W(Tc)
(1)
25W(Tc)
(3)
4W(Ta),125W(Tc)
(4)
4W(Ta),150W(Tc)
(16)
625W(Tc)
(1)
800mW(Ta),15W(Tc)
(7)
800mW(Ta),25W(Tc)
(19)
800mW(Tc)
(8)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Microsemi
安装类型 : 表面贴装型
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : -
62 条记录
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JANSR2N7389U
Microsemi
MOSFET P-CH 100V 6.5...
1
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MSC280SMA120S
Microsemi
SICFET N-CH 1.2KV D...
1
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