漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4...
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IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4...
1 2,000 加入询价
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5.2...
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IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3A...
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IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.2...
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