单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

封装/外壳：

供应商器件封装：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

Vgs（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	PMZB670UPE,315	Nexperia	MOSFET P-CH 20V 680M...	1	43,887	加入询价
	2SK221100L	Panasonic	MOSFET N-CH 30V 1A ...	1	2,000	加入询价
	PMR670UPE,115	NXP Semiconductors	MOSFET P-CH 20V 480M...	1	2,000	加入询价

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