- 品牌:
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5A... |
1 | 2,354 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5A... |
1 | 2,388 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,492 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 9.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |