供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
2301 Goford Semiconductor
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V...
1 8,339 加入询价
3415A Goford Semiconductor
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V...
1 11,959 加入询价
G2012 Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<12M@4.5V...
1 2,994 加入询价
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