- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V... |
1 | 8,339 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V... |
1 | 8,860 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V... |
1 | 11,959 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<12M@4.5V... |
1 | 2,994 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 |