FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RD3T050CNTL1 ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A...
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PJD9P06A_L2_00001 PANJIT
60V P-CHANNEL ENHA...
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PJD9P06A-AU_L2_000A1 PANJIT
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