漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
MCMN2012A-TP Micro Commercial Components (MCC)
N-CHANNEL MOSFET
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SIA414DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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