- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 12,405 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH,100V, 2... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V... |
1 | 699 | 加入询价 |
