供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 34A...
1 2,000 加入询价
SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32A...
1 2,000 加入询价
SQJ460AEP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S...
1 2,000 加入询价
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 58A...
1 2,000 加入询价
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