漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TSM070NH04CV RGG Taiwan Semiconductor
40V, 54A, SINGLE N-C...
1 9,950 加入询价
CSD19537Q3 Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 9.7...
1 2,000 加入询价
CSD19537Q3T Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50A...
1 2,000 加入询价
SI7802DN-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.2...
1 2,000 加入询价
SI7802DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.2...
1 2,000 加入询价
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