FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI6465DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A...
1 2,000 加入询价
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A...
1 2,000 加入询价
SI6466ADQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A...
1 2,000 加入询价
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A...
1 2,000 加入询价
SI6469DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TS...
1 2,000 加入询价
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TS...
1 2,000 加入询价
SI6473DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A...
1 2,000 加入询价
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A...
1 2,000 加入询价
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