- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 80V 6.8A... |
1 | 85,387 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 80V 10A... |
1 | 29,203 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 22A... |
1 | 3,007 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 120A... |
1 | 1,844 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 40V 10A... |
1 | 93,882 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 200V DIE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -30V -13A POWER ... |
1 | 77 | 加入询价 | |
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EPC Space | 40V 8A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 40V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
