- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 24,516 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A... |
1 | 11,551 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 87A... |
1 | 14,821 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,693 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 34A... |
1 | 2,618 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 87A... |
1 | 12,500 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
