单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

FET 功能：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	PSMN1R5-40YSDX	Nexperia	MOSFET N-CH 40V 240A...	1	1,408	加入询价
	PSMN1R5-30BLEJ	Nexperia	MOSFET N-CH 30V 120A...	1	14	加入询价

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