- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<7.5M@10V... |
1 | 15,596 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 30A... |
1 | 2,060 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 75A,RD<8M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-15A,RD(MAX)<10M... |
1 | 3,990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,ESD,-12A,RD(MA... |
1 | 2,305 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 40V,54... |
1 | 2,445 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<2.7M@10V... |
1 | 9,935 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 30V, 100A, RD(MA... |
1 | 4,895 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 12,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V... |
1 | 699 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<210M@10V... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,V... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-80V,RD(MAX)<62M@-10V... |
1 | 681 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8M@10V,R... |
1 | 96 | 加入询价 |
