供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PSMN075-100MSEX Nexperia
MOSFET N-CH 100V 18A...
1 33,870 加入询价
18N20 Goford Semiconductor
N 200V, RD(MAX)<0.16@10...
1 2,285 加入询价
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