- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (10)
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (9)
- ON Semiconductor (44)
- NXP Semiconductors (18)
- Littelfuse (13)
- Microsemi (1)
- PANJIT (1)
- YANGJIE (4)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
183 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
YANGJIE | N-CH MOSFET 60V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V LF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
