- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- PANJIT (3)
- UMW (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 25,319 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 723,631 | 加入询价 | |
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|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 145,341 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 5.8A... |
1 | 15,557 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 6,362 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 5.8A... |
1 | 63,763 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 39,566 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 26,568 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 25,139 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,380 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 5.8... |
1 | 1,246 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1... |
1 | 2,985 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1... |
1 | 1,361 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 1,671 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 24 | 加入询价 | |
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PANJIT | 20V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
