- 品牌:
-
- Texas Instruments (13)
- Nexperia (4)
- 封装/外壳:
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
20 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | PSMN2R0-55YLH/SOT10... |
1 | 14,873 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 11,355 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 1,999 | 加入询价 | ||
Nexperia | PSMN1R5-50YLH/SOT10... |
1 | 1,500 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 1,040 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A... |
1 | 405 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A... |
1 | 179 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 238 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 40V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 40V U-MOS IX-H L-TO... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200... |
1 | 2,000 | 加入询价 |